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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-2757-5-ND
Cantidad disponible 20,519
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF630

Descripción MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF630(FP)
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MESH OVERLAY™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 700 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 75 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400 mOhm a 4.5 A, 10 V
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-2757-5

05:57:49 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.86000 0.86
10 0.76700 7.67
100 0.59800 59.80
500 0.49400 247.00
1,000 0.39000 390.00

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