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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2160KEC-ND
Cantidad disponible 2,575
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2160KEC

Descripción MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2160KE
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Módulos de capacitación sobre el producto SiC MOSFETs
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Producto destacado 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200 pF a 800 V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 208 mOhm a 7 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

13:17:29 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.72000 9.72
100 8.93710 893.71

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