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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2120AFC-ND
Cantidad disponible 831
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2120AFC

Descripción MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2120AF Datasheet
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Módulos de capacitación sobre el producto SiC MOSFETs
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 61 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200 pF a 500 V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 10 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

11:24:02 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.28000 14.28
10 12.97800 129.78
25 12.00480 300.12
100 11.03130 1,103.13
250 10.05796 2,514.49
500 9.40906 4,704.53

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