Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD4858N-35GOS-ND
Cantidad disponible 884
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

NTD4858N-35G

Descripción MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos NTD4858N
Ensamble/origen de PCN Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 25 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.2 A (Ta), 73 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.2 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1563 pF a 12 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta), 54.5 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.2 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres NTD4858N-35G-ND
NTD4858N-35GOS

01:37:52 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.57000 0.57
10 0.50300 5.03
100 0.38560 38.56
500 0.30480 152.40
1,000 0.24384 243.84

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario