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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTD3055L104-1GOS-ND
Cantidad disponible 1
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

NTD3055L104-1G

Descripción MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos NTD3055L104
Diseño/especificación de PCN Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
Ensamble/origen de PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±15 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta), 48 W (Tj)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 104 mOhm a 6 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G

18:04:00 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.66000 0.66
10 0.56600 5.66
100 0.42280 42.28
500 0.33218 166.09
1,000 0.25668 256.68

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