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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APTM10UM01FAG-ND
Cantidad disponible 50
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APTM10UM01FAG

Descripción MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Descripción ampliada N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Microsemi Corporation

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 860 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 12 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2100 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2500 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.6 mOhm a 275 A, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SP6
Paquete / Caja (carcasa) SP6
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

03:19:31 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 189.61000 189.61
10 180.45500 1,804.55
25 173.91720 4,347.93

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