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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VP2206N2-ND
Cantidad disponible 247
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

VP2206N2

Descripción MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
Descripción ampliada P-Channel 60V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / No cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Microchip Technology

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 750 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 10 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 450 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 900 mOhm a 3.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-39
Paquete / Caja (carcasa) TO-205AD, TO-39-3 Lata
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

15:14:39 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 13.50000 13.50
25 12.37640 309.41
100 11.20640 1,120.64

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