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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7000-G-ND
Cantidad disponible 4,646
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2N7000-G

Descripción MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
Descripción ampliada N-Channel 60V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Microchip Technology

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
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  • 1050-1030-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

00:16:10 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 0.38
25 0.31920 7.98
100 0.28840 28.84

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