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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VMO580-02F-ND
Cantidad disponible 64
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

VMO580-02F

Descripción MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Documentos y medios
Hojas de datos VMO580-02F
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 580 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 430 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 50 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 2750 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds -
Potencia máxima -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) Y3-Li
Paquete del dispositivo del proveedor Y3-Li
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2
Otros nombres Q1221985A
VMO58002F

02:51:18 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 133.09000 133.09
10 124.39600 1,243.96
25 120.04640 3,001.16

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