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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VMO580-02F-ND
Cantidad disponible 62
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

VMO580-02F

Descripción MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Descripción ampliada N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Documentos y medios
Hojas de datos VMO580-02F
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 580 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 50 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2750 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 430 A, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor Y3-Li
Paquete / Caja (carcasa) Y3-Li
 
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  • Precio unitario 19.36000
  • IXTN660N04T4-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2
Otros nombres Q1221985A
VMO58002F

23:57:55 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 133.09000 133.09
10 124.39600 1,243.96
25 120.04640 3,001.16

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