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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX34N80-ND
Cantidad disponible 271
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFX34N80

Descripción MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Descripción ampliada N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)34N80
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7500 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 560 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 240 mOhm a 17 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

14:17:27 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 20.33000 20.33
10 18.48000 184.80
25 17.09400 427.35
100 15.70800 1,570.80
250 14.32200 3,580.50
500 13.39800 6,699.00

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