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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN38N100Q2-ND
Cantidad disponible 225
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN38N100Q2

Descripción MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 38A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN38N100Q2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7200 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 19 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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  • Precio unitario 20.53000
  • DSEI2X61-12B-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

20:59:24 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 50.52000 50.52
10 47.24600 472.46
25 43.69600 1,092.40
100 40.96500 4,096.50
250 38.23400 9,558.50

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