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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN180N10-ND
Cantidad disponible 3,315
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN180N10

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN180N10
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 360 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 479462

08:36:28 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 27.14000 27.14
10 25.10500 251.05
25 23.06920 576.73
100 21.44060 2,144.06
250 19.67652 4,919.13
500 18.72660 9,363.30

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