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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN110N60P3-ND
Cantidad disponible 8
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN110N60P3

Descripción MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Descripción ampliada N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN110N60P3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, Polar3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 245 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1500 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56 mOhm a 55 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 625715

10:41:10 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 27.22000 27.22
10 25.17500 251.75
25 23.13360 578.34
100 21.50060 2,150.06
250 19.73160 4,932.90

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