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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH6N100-ND
Cantidad disponible 148
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH6N100

Descripción MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,M)6N90/100
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2600 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

06:59:02 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8.90000 8.90
10 8.01000 80.10
25 7.29800 182.45
100 6.58600 658.60
250 6.05200 1,513.00
500 5.51800 2,759.00
1,000 4.80600 4,806.00

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