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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH320N10T2-ND
Cantidad disponible 127
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH320N10T2

Descripción MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 100V 320A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,T)320N10T2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 430 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 26000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1000 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

13:03:12 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.86000 12.86
10 11.57600 115.76
25 10.54720 263.68
100 9.51830 951.83
250 8.74652 2,186.63
500 7.97476 3,987.38

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