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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC900N20NS3GCT-ND
Cantidad disponible 11,290
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSC900N20NS3 G

Descripción MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BSC900N20NS3G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.2 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 7.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 30 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 11.6 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 920 pF a 100 V
Potencia máxima 62.5 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC900N20NS3GCT

06:13:38 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.64000 1.64
10 1.46300 14.63
100 1.14040 114.04
500 0.94210 471.05
1,000 0.74376 743.76

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC900N20NS3GTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.64026
  • Digi-Reel® ? : BSC900N20NS3GDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,290 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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