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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA69N25-ND
Cantidad disponible 1,566
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDA69N25

Descripción MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDA69N25
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 69 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4640 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 480 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 34.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

06:52:14 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.24000 3.24
10 2.90900 29.09
100 2.38310 238.31
500 2.02868 1,014.34
1,000 1.71094 1,710.94

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