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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7000BU-ND
Cantidad disponible 4,789
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2N7000BU

Descripción MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
Descripción ampliada N-Channel 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 45 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN 2N7000 06/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

17:51:48 3/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.37000 0.37
10 0.27500 2.75
100 0.15550 15.55
500 0.10300 51.50
1,000 0.07897 78.97

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