FQD12N20TM onsemi | Productos semiconductores discretos

FQD12N20TM
N.º de producto de DigiKey	FQD12N20TMFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD12N20TMFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD12N20TMFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD12N20TM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 9 A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	280mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	910 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de producto base	FQD12N20