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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0160120D-ND
Cantidad disponible 804
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M0160120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos C2M0160120D
Producto destacado Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.7 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 196 mOhm a 10 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 500 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 32.6 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 527 pF a 800 V
Potencia máxima 125 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

06:32:49 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8.33000 8.33
100 8.01000 801.00
500 7.81250 3,906.25

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