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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0040120D-ND
Cantidad disponible 1,653
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M0040120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos C2M0040120D
Producto destacado Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52 mOhm a 40 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 10 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 115 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1893 pF a 1000 V
Potencia máxima 330 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

03:15:42 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 34.12000 34.12
100 32.81000 3,281.00
500 31.98750 15,993.75

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